南亚科开始量产20纳米DRAM,10nm提上日程

DRAM厂南亚科( 2408-TW )今(1)日举行总部落成典礼,总经理李培瑛指出,新厂将开始生产20纳米,同时也让南亚科10纳米奠定研发基础,李培瑛会后指出,南亚科针对10纳米已有研发计划,有两套方案进行中,一是自主研发,另一个则是取得美光技术授权,生产制程技术持续往先进方向发展。


李培瑛表示,南亚科新营运总部,给南亚科的意义是制程进入20 纳米,南亚科将可提供客户一系列20 纳米制程产品,除现在的LPDDR4,未来也将进入DDR5 与DDR6。


更重要的是,他认为,新厂将使南亚科开发10 纳米制程上提供很好的研发基础。


李培瑛表示,南亚科对10 纳米已有布局计划,分两套方案进行,一套是自主研究开发,另一套则是取得美光1X/1Y 的授权技术选择权。


他强调,虽然南亚科多数技术授权来自美光,不过南亚科30 纳米制程产品当中,有高达95% 是自己开发出来,显示南亚科也积极自主研发DRAM 生产技术。


李培瑛认为,南亚科用两个方案进行,持续往先进制程发展,也才能让南亚科技旭永续经营。


南亚科董事长吴嘉昭致词时指出,新总部启用,将可使原本分散在3 个地方的厂区集中一起,而新厂扩建的无尘室厂房,将是未来20 纳米与10 纳米的生产基地。


吴嘉昭强调,南亚科成立22 年,经历过几次产业不景气,还有同业整并的艰困情形,不过最后仍转型成DRAM 产业重要供应商,4 年多前开始转型再造,全力发展利基型产品,专注在产品、客户面向的多元化发展,目前经营绩效大幅提升,20 纳米也已进入量产阶段,未来DRAM 将持续不可或缺,南亚科累积多年经验,将持续让产业发展更健康。

          未来每年创造200亿新产值

总经理李培瑛指出,新厂与设备总投资金额为557亿元,新的20纳米工艺,加上原有的30纳米制程,总投片量将达6.8万片,未来每年将可为南亚科创造200亿元产值。


李培瑛指出,新厂投产也将创造逾500 个就业机会,是台湾近年重大投资案,且除制程进步,新厂也将提供全方位产品线,包含DDR3、DDR4、LPDDR4X,可满足未来智能汽车、智能家庭、智能办公室、工业4.0 与AI 人工智能等多元需求。


李培瑛表示,此次投产的20 纳米晶圆厂FAB 3AN,包含厂房与设备投资金额达557 亿元,加上另一栋3A 厂房,总投资金额为1800 亿元。


他强调,新厂投产将可使南亚科开始导入20 纳米制程,生产一系列20 纳米制程产品,如LPDDR4,同时南亚科可在此平台上,让产品逐步进入DDR5 与DDR6,新厂将成南亚科的重要平台,也给未来南亚科发展10 纳米制程提供一个重要基础。


南亚科新厂位在新北市泰山南林园区新设总部及厂房,更依循台湾绿建筑评估系统EEWH 规划兴建,采用低污染、可循环利用之建材,并导入各类节能设计,包含绿化量、照明节能、空调节能、二氧化碳减量指标等,水资源与基地保水指标优于法规设计,展现绿建筑设计原则。


李培瑛强调,DRAM 记忆亿体是关键零组件,近年南亚科专注在利基市场上,是台湾一家拥有先进制程技术,也具备产品完整开发能力的DRAM 整合元件制造公司,透过新总部落成,制程转进20 纳米,也为未来10 纳米世代奠定基础,将创造更多就业机会,延续南亚科的记忆体市场优势。


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