内存销售额创纪录背后的喜与忧

当手机厂商供应链缺货的消息一波波接踵而至的时候,嗅觉敏锐的半导体厂商已经意识到,在今年的手机大潮中,技术已经沦为了故事的配角,这种情况在DRAM和NAND内存市场尤其突出。


是的,三星、SK海力士、美光这样的内存大厂在这场大戏中悉数到场,大张旗鼓,加码内存芯片布局的举措真可谓是应接不暇,颇为热闹。不论是原本作为主角的智能手机还是其他的手机零部件,即便缺货情况也是真实存在的,但是与内存相比,不免有些相形见绌。


创记录的内存销售额

根据IC Insights的最新数据显示,DRAM和NAND这两种内存类型的销售额在今年将创下历史新高。


就DRAM而言,根据Trendforce公司旗下DRAMeXchange事业部公布的最新统计数据,就在2017年前三个月中,内存组件的整体销售额达到创纪录的141亿美元,较上年同期增长达13.4%。另外,与2016年第四季度进行比较,2017年第一季度的PC DRAM组件平均销售价格增长了至少30%。

与此同时,服务器与移动市场亦因此受到严重影响,其中移动DRAM产品的价格平均上涨近10%。


在这种情况影响之下,三星作为市场王者,营收达到63亿美元,较上个季度增长6.8%且目前占据整体市场份额的44.8%。


实际上,三星近几年已经尝到了来自芯片市场的甜头,芯片产品成为和面板一样的利润奶牛。摩根士丹利就表示,半导体部门营业利润占据三星电子第二季度总营业利润的60%以上,该部门的营业利润主要来自存储芯片。而外界普遍预测,在半导体芯片业务的带动下,三星电子第二季度利润有望创历史新高。


可以说,内存芯片销售额暴涨,将使三星电子首度超越全球最大半导体制造商英特尔。


除了三星,美光也在DRAM价格上涨的影响下出现了营收的大幅度增长。数据显示,内存芯片销售额暴涨,将使三星电子首度超越全球最大半导体制造商英特尔。

另一方面,2017年第一季整体NAND Flash市况延续第四季持续受到缺货影响,即使第一季度为传统NAND Flash淡季,渠道颗粒合约价却仍上扬约20-25%。


受到中国智能手机以及SSD的需求动能带动,加上整体NAND Flash库存水位偏低,推升平均售价(ASP)季成长约15%,虽然SK海力士第一季度位元出货量(bit shipment)较去年第四季下降3%,但所有产品线均维持稳定的获利水位。


三星第一季SSD占整体产品组合比重已超过四成,且平均销售价格随着市场缺货而上扬,因此,第一季营收虽然较去年第四季度衰退5.8%,但其NAND Flash的营业利益率却较前一季提升。

            天壤之别的出货量

中国闪存市场ChinaFlashMarket于今年年初发布了一份《2016年度闪存产业报告和2017年市场分析》,指出2016年整个闪存产业就被涨价、缺货、3D NAND等笼罩,芯片价格上涨超过了80%。


今年5月1日,半导体权威研究机构IC Insights发布的报告显示,2017年Q1与2016年Q1相比,DRAM的平均价格同比上涨了45%,NAND闪存的价格也同比增长了40%。


IHS的统计报告也指出,DRAM和NAND在未来五年都会有3-6倍的需求增长。因此在这样的供需矛盾影响下,存储类元器件50%的涨幅实属正常,并且未来还会继续看涨。

但是销售额的暴涨,根本原因却不是出货量的增加。


就DRAM而言,IC Insights预计2017年实际出货量将会有所下降。此外,NAND出货量与2016年相比,仅仅增长了2%。对于DRAM和NAND两个内存市场而言,销售强劲的年增长率几乎完全是快速上升的平均销售价格(ASP)驱动的。


平均销售价格的增长从2016年开始就已经初现端倪。资料显示,2016年4月DRAM ASP为2.41美元,然而2017年1月ASP已迅速扬升至3.60美元,涨幅达49%。IC Insights预估2017年DRAM与NAND Flash ASP将会分别大幅年增37%与22%。

           天灾人祸的内存市场

为什么会出现这种内存价格的大幅度增长呢?具体来说,主要有以下几点原因:


首先,内存良率问题。


三星在 2017 年 2 月中旬陆续召回部分序号的 18 纳米制程的内存模块,并且再重新出货给客户之后,仍然发生有瑕疵的状况。 而且,此事件已影响了名列前茅的 PC 大厂在 DPPM (每百万台的不良率) 有大幅提升的状况。


市场原本预计,在进入 2017 年第 2 季之后,因为有三星 18 纳米的 PC DRAM 内存模块与美光 17 纳米的 PC DRAM 内存模块相继出货,供货吃紧的状况应该可以得到缓解。 不料,三星继上次召回有瑕疵的 18 纳米制程的 PC DRAM 内存模块之后,近期再次出货的情况仍旧没有改善,还因而造成 PC大厂在 DPPM ( 每百万台的不良率) 有大幅提升的状况。


而除了三星之外,美光的 17 纳米制程 PC DRAM 内存模块也碰上相类似的情况。 甚至以目前出货给客户的样本来看,良率还低于 50% 以下。在 17 纳米制程的 PC DRAM 内存模块良率有问题的情况下,美光又无法再回头提供 20 纳米制程的产品给客户,这也使得美光陷入两难的状态。


以上两种情况,也为 2017 年 DRAM 市场的供货状况与价格变化再投下不确定因素。


其次,天灾不断。


在内存产能得不到扩大的情况下,本来情况就已经够糟糕了,但是屋漏偏逢连夜雨,内存工厂又接连出事。


不久前的7月1日,台湾美光晶圆科技发生氮气外泄事故,导致厂内晶片和设备受到了污染,事故至少造成6万片晶圆报废。


此次受到影响的工厂为台湾美光晶圆科技的Fab2,厂房为双子星结构,场内可容纳2座12寸晶圆厂,工厂产能达到月产12万片以上。由于去年美光与华亚科正式合并,该厂最早开始转入20nm制程,产品线也扩充至移动设备中的LPDDR4。

对于上述事件,TrendForce存储器储存研究(DRAMeXchange)表示,报废的6万片晶圆约占全球DRAM产能5.5%,鉴于目前DRAM市场供货吃紧的状况,加之停工引起的产能中断,预计未来内存价格还将进一步上涨。


以上两点可以是抬高DRAM的主要原因。


第三,各大内存厂商大部分支出主要都用于推动技术进步,而不是用于增加产能。


具体来说,三星、SK海力士和美光在2017年上半年DRAM方面无新增产能,叠加下游内存需求不断增长,DRAM合约价在淡季也明显上涨。在NAND方面,三星、SK海力士和美光在2017年基本上所有的闪存支出都用在了3D NAND闪存上面,而不是用于扩大产能,即便是在今年投入的产能也不可能在短期内减小,但是要知道闪存缺货情况并不是一两日的光景了。


内存厂商在研发新技术的时候忽视了市场对于产品的需求,不可以不说是人祸。


最后,爆发的市场需求。


造成 NAND Flash 大缺货的原因,主要因为各种电子用品的渗透率提高,加上新兴市场使用者从功能性手机转进智能手机,带动相关储存需求急速攀升。


各家NAND Flash厂为竞逐储存容量更高的3D NAND,去年开始都调拨产能投入3D NAND Flash生产,结果因良率未达预期,造成全球NANDFlash大缺货,今年首季更写下历年来淡季最大涨幅。


那么如何解决这一问题呢?扩大产能可以说是势在必行的一步。


近日,有消息显示,三星计划投资近3万亿韩元(约合人民币183亿元),扩充位于京畿道华城工厂17线DRAM产能。若投资完成,华城工厂将再没有多余空间,三星计划在17线生产增产DRAM、3D NAND闪存以及系统半导体。


                总结

从内存销售创纪录和出货量增长不大,我们应该注意到,市场对于DRAM和NAND的需求依旧非常紧迫。尽管2017年DRAM的平均销售价格会在今年下半年放缓,但是全年的平均销售价格增长率依旧达到了63%。


对于NAND的平均销售价格来说,2017年也将创下新高,预计会达到33%。


在市场需求与产能的双重压迫下,才造成了如今内存市场产品价格居高不下的局面。


虽然对于全球半导体产值来说,内存价格的上涨是一个好消息,据Gartner最新发布的统计显示,全球半导体产值受到内存价格上涨,今年将首破突破4,000亿美元,达到4,014亿美元,年增16.8%。


但是我们应当深刻的注意到这种情况出现的深层次原因。在这一轮市场增长中,技术已经不再是推动市场的主要动力,这与市场在技术的推动下的实现良性增长完全是背道而驰。


我们总是乐观的估计市场的需求和自身能力,而忽视了客观因素和意外事件的影响。在这一轮涨价潮中,良率和天灾就是厂商所忽视的客观原因。


对于一个良性发展的市场而言,技术才是主要的驱动力,对于恶性发展的市场而言,价格是厂商竞争的根本。今年的内存市场,我们不应当只看到了销售额的增长,而陷入价格的恶性循环之中,毕竟技术才是根本!


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